半導体キャリア密度測定器

 水銀電極法によって半導体キャリア蜜度を正確に測定します。

主な仕様

 ●測定対象　GaAs, InP, AlGaP, AlinGap等化合物半導体及びシリコン半導体のキャリア密度のデプスプロファイル測定

 ●測定範囲　1×1015～2×1018cm-3程度のｐ型、ｎ型（材料に依存）

 ●システム構成 

 1）プローブヘッド部　　方式：吸引式同軸水銀電極（フロントコンタクト及びバックコンタクト可能）

　詳細は是非お問い合わせください。